买卖IC网 >> 产品目录43526 >> BSS7728N H6327 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 datasheet 分离式半导体产品
型号:

BSS7728N H6327

库存数量:3,000
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSS7728N H6327 PDF下载
标准包装 3,000
系列 SIPMOS®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.3V @ 26µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 1.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 56pF @ 25V
功率 - 最大 360mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 PG-SOT23-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 BSS7728N H6327-ND
BSS7728NH6327XTSA1
BSS7728NH6327XTSA2
SP000702640
SP000929184
相关资料
供应商
  • BSS7728N H6327 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    3,000 0.079812 239.424
    6,000 0.06792 407.52
    15,000 0.057732 865.98
    30,000 0.05094 1528.2
    75,000 0.047544 3565.8
    150,000 0.043296 6494.856